对FIB我们应该不陌生，为了快速验证一些设计问题，产品做ECO前，常常会通过线路修补来确认问题是否得到修正。另外做失效分析也需要用FIB，制备样品截面观察可疑失效点，制备TEM样品（TEM观测需要样品足够薄）等等。今天就聊一下FIB的相关信息，及FC、CSP产品中FIB操作中应该注意的事项。FIB原理 FIB系统用镓(Ga)或者铟（In）作为离子源，在离子束流较小的情况下可用作扫描电子显微镜，原理与SEM类似。在离子束较大的情况下，可局部去除和淀积靶材料，用作芯片电路修改和局部剖切面。 扫描电镜（SEM）是将聚焦电子束扫描样品表面，而聚焦离子束（FIB）是将聚焦离子束扫描样品表面。不同于扫描电镜的是，聚焦离子束可同时进行表面成像及表面纳米加工（上面提到的离子束能量大小不同的情况下），而扫描电镜只能进行表面成像。 由聚焦离子束（FIB）与扫描电子显微镜结合而成的双束（电子束/离子束）系统既可以单独担当FIB和扫描电镜的工作，又同时发挥电子束和离子束的各自优势。这就是我们平时说到的dual beam FIB，可以一边使用离子束切割样品，一边用电子束对样品断面(剖面)进行观察，亦可进行EDX的成份分析。 随着半导体工艺制程与封装技术的不断演进，倒装芯片、多层金属互连层数等限制了FIB的操作。例如Flip chip产品，如果需要带封装体做FIB，且从die正面施做，就需要避开锡球和基板，在实际操作中很难进行，电路修改需从晶背执行（即封装正面）。 上图是目前各家实验室用到的最高阶的FIB机台：FEI V400ACE系列，可提供14/16nm的线路修补。下面介绍FC和CSP的FIB需要考虑的一些问题点：FC产品 如果带封装，从die背面做FIB，需要提供1）晶背厚度，2）从M1到施做位置的GDS文件，3）操作点需要考虑OD或者poly是否可以破坏掉，不能影响到逻辑单元。 裸die则需要考虑操作位置上方是否有bump遮挡，一般bump材质为Cu/Ni/SnAg，如果bump厚度过大，做FIB会很难操作。WLCSP产品 CSP样品操作有点类似FC产品，die的正面对应锡球和RDL层，会对操作位置有遮挡。未遮挡的部分，也会因为Passivation较厚，使FIB难度增加。 一般通过去掉锡球，蚀刻掉RDL和passivation，再进行FIB。完成FIB后再重新植球。 后续有机会我们再单独聊CSP封装。******************************************************************************************著作权归作者所有。商业转载请联系作者获得授权，非商业转载请注明出处。参考文献：FIB的工作原理及其应用《电子元器件失效分析技术》WLCSP IC如何进行FIB线路修补, WLCSP电路修改│iST宜特

很多玩家都有这样的习惯，能碰则碰，尤其是风牌。比如起手的时候有十张筒子，三张风，那么风就不要碰了，即便是碰一次就很容易胡，也要忍住。况且，在关键时刻，风牌还可以作为最保守的牌打出去，这样就会降低点炮的几率。

通过舍牌，我们可以有效地控制对手的出牌情况，达到破坏对手牌型的目的，从而提高胜率。特别是在牌局的后段，有效地舍牌可以降低放炮呃几率，通常情况下，我们会先舍去风牌，白板这些相对无用的牌真钱棋牌游戏，然后便是么和九的牌，主要在于想摸到相邻的牌型概率相对较低，如果保留二到八这些牌，那么凑牌就会变得相对容易。特别是到了牌局中后段，这个时候出牌一定要格外谨慎，因为稍有不慎就会放炮。